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SI2303-TP
P-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE
Número de pieza
SI2303-TP
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tape & Reel (TR)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Paquete de dispositivo del proveedor
SOT-23
Disipación de energía (máx.)
250mW (Ta)
Tipo FET
P-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
30V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
3A (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
180 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
3V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
10nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
226pF @ 100V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±20V
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