Comprar Microsemi Corporation 1N5417US DIODE GEN PURP 200V 3A D5B

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1N5417US

DIODE GEN PURP 200V 3A D5B

Número de pieza

1N5417US

Fabricante/Marca

Microsemi Corporation

Serie

Estado de la pieza

Active

embalaje

Bulk

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

E-MELF

Paquete de dispositivo del proveedor

D-5B

Tipo de diodo

Standard

Corriente - Promedio Rectificado (Io)

Voltaje - Directo (Vf) (Máx.) @ Si

1.5V @ 9A

Corriente - Fuga inversa @ Vr

1µA @ 200V

Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.)

200V

Velocidad

Fast Recovery = 200mA (Io)

Tiempo de recuperación inversa (trr)

150ns

Temperatura de funcionamiento: unión

-65°C ~ 175°C

Capacitancia @ Vr, F

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