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1N5811US

1N5811US

DIODE GEN PURP 150V 3A B-MELF
Número de pieza
1N5811US
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Active
embalaje
Bulk
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
SQ-MELF, B
Paquete de dispositivo del proveedor
B, SQ-MELF
Tipo de diodo
Standard
Corriente - Promedio Rectificado (Io)
3A
Voltaje - Directo (Vf) (Máx.) @ Si
875mV @ 4A
Corriente - Fuga inversa @ Vr
5µA @ 50V
Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.)
150V
Velocidad
Fast Recovery = 200mA (Io)
Tiempo de recuperación inversa (trr)
30ns
Temperatura de funcionamiento: unión
-65°C ~ 175°C
Capacitancia @ Vr, F
60pF @ 10V, 1MHz
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1N5811US Componentes electrónicos
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