Comprar Microsemi Corporation APT34N80B2C3G MOSFET N-CH 800V 34A T-MAX

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APT34N80B2C3G

MOSFET N-CH 800V 34A T-MAX

Número de pieza

APT34N80B2C3G

Fabricante/Marca

Microsemi Corporation

Serie

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tube

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete / Estuche

TO-247-3 Variant

Paquete de dispositivo del proveedor

T-MAX™ [B2]

Disipación de energía (máx.)

417W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

800V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

34A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

145 mOhm @ 22A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

3.9V @ 2mA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

355nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

4510pF @ 25V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Vgs (máx.)

±20V

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