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APT58M80J
MOSFET N-CH 800V 58A SOT-227
Número de pieza
APT58M80J
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tube
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Chassis Mount
Paquete / Estuche
SOT-227-4, miniBLOC
Paquete de dispositivo del proveedor
SOT-227
Disipación de energía (máx.)
960W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
800V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
60W (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
110 mOhm @ 43A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
5V @ 5mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
570nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
17550pF @ 25V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±30V
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