Comprar Microsemi Corporation APT8M100B MOSFET N-CH 1000V 8A TO-247

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APT8M100B

MOSFET N-CH 1000V 8A TO-247

Número de pieza

APT8M100B

Fabricante/Marca

Microsemi Corporation

Serie

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tube

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete / Estuche

TO-247-3

Paquete de dispositivo del proveedor

TO-247 [B]

Disipación de energía (máx.)

290W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

1000V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

8A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

1.8 Ohm @ 4A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

5V @ 1mA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

60nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1885pF @ 25V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Vgs (máx.)

±30V

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