Comprar Microsemi Corporation APTC80H29T1G MOSFET 4N-CH 800V 15A SP1

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APTC80H29T1G

MOSFET 4N-CH 800V 15A SP1

Número de pieza

APTC80H29T1G

Fabricante/Marca

Microsemi Corporation

Serie

Estado de la pieza

Obsolete

embalaje

Bulk

Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Chassis Mount

Paquete / Estuche

SP1

Potencia - Máx.

156W

Paquete de dispositivo del proveedor

SP1

Tipo FET

4 N-Channel (H-Bridge)

Función FET

Standard

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

800V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

15A

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

290 mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

3.9V @ 1mA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

90nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2254pF @ 25V

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