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APTM100A46FT1G
MOSFET 2N-CH 1000V 19A SP1
Número de pieza
APTM100A46FT1G
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Obsolete
embalaje
Bulk
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Chassis Mount
Paquete / Estuche
SP1
Potencia - Máx.
357W
Paquete de dispositivo del proveedor
SP1
Tipo FET
2 N-Channel (Half Bridge)
Función FET
Standard
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
1000V (1kV)
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
19A
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
552 mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
5V @ 2.5mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
260nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
6800pF @ 25V
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