Comprar Microsemi Corporation APTM100H80FT1G MOSFET 4N-CH 1000V 11A SP1

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APTM100H80FT1G

MOSFET 4N-CH 1000V 11A SP1

Número de pieza

APTM100H80FT1G

Fabricante/Marca

Microsemi Corporation

Serie

Estado de la pieza

Obsolete

embalaje

Bulk

Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Chassis Mount

Paquete / Estuche

SP1

Potencia - Máx.

208W

Paquete de dispositivo del proveedor

SP1

Tipo FET

4 N-Channel (H-Bridge)

Función FET

Standard

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

1000V (1kV)

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

11A

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

960 mOhm @ 9A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

5V @ 1mA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

150nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

3876pF @ 25V

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