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APTSM120AM55CT1AG
POWER MODULE - SIC
Número de pieza
APTSM120AM55CT1AG
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Active
embalaje
Bulk
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Chassis Mount
Paquete / Estuche
SP1
Potencia - Máx.
470W
Paquete de dispositivo del proveedor
SP1
Tipo FET
2 N-Channel (Dual), Schottky
Función FET
Silicon Carbide (SiC)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
1200V (1.2kV)
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
74A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
50 mOhm @ 40A, 20V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
3V @ 2mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
272nC @ 20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
5120pF @ 1000V
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