La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
JANTXV1N5809US
DIODE GEN PURP 100V 3A B-MELF
Número de pieza
JANTXV1N5809US
Fabricante/Marca
Serie
Military, MIL-PRF-19500/477
Estado de la pieza
Active
embalaje
Bulk
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
SQ-MELF, B
Paquete de dispositivo del proveedor
B, SQ-MELF
Tipo de diodo
Standard
Corriente - Promedio Rectificado (Io)
3A
Voltaje - Directo (Vf) (Máx.) @ Si
875mV @ 4A
Corriente - Fuga inversa @ Vr
5µA @ 100V
Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.)
100V
Velocidad
Fast Recovery = 200mA (Io)
Tiempo de recuperación inversa (trr)
30ns
Temperatura de funcionamiento: unión
-65°C ~ 175°C
Capacitancia @ Vr, F
60pF @ 10V, 1MHz
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 47098 PCS
Información del contacto
Productos relacionados
Palabras clave deJANTXV1N5809US
JANTXV1N5809US Componentes electrónicos
JANTXV1N5809US Ventas
JANTXV1N5809US Proveedor
JANTXV1N5809US Distribuidor
JANTXV1N5809US Tabla de datos
JANTXV1N5809US Fotos
JANTXV1N5809US Precio
JANTXV1N5809US Oferta
JANTXV1N5809US El precio más bajo
JANTXV1N5809US Buscar
JANTXV1N5809US Adquisitivo
JANTXV1N5809US Chip