Comprar Microsemi Corporation JANTXV2N6766T1 MOSFET N-CH

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JANTXV2N6766T1

MOSFET N-CH

Número de pieza

JANTXV2N6766T1

Fabricante/Marca

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/543

Estado de la pieza

Obsolete

embalaje

Bulk

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete / Estuche

TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)

Paquete de dispositivo del proveedor

TO-254AA

Disipación de energía (máx.)

4W (Ta), 150W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

200V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

30A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

90 mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

4V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

115nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Vgs (máx.)

±20V

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