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NX7002BKR
MOSFET 2N-CH 60V TO-236AB
Número de pieza
NX7002BKR
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tape & Reel (TR)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Paquete de dispositivo del proveedor
TO-236AB (SOT23)
Disipación de energía (máx.)
310mW (Ta), 1.67W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
60V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
270mA (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
2.8 Ohm @ 200mA, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
2.1V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
1nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
23.6pF @ 10V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
5V, 10V
Vgs (máx.)
±20V
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