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PMV130ENEA/DG/B2R
MOSFET N-CH 40V 2.1A TO236AB
Número de pieza
PMV130ENEA/DG/B2R
Fabricante/Marca
Serie
Automotive, AEC-Q101
Estado de la pieza
Obsolete
embalaje
-
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Paquete de dispositivo del proveedor
TO-236AB
Disipación de energía (máx.)
5W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
40V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
2.1A (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
120 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
2.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
3.6nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
170pF @ 20V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
4.5V, 10V
Vgs (máx.)
±20V
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