Comprar Nexperia USA Inc. PMV55ENEAR MOSFET N-CH 60V TO-236AB

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Hojas de datos

PMV55ENEAR

MOSFET N-CH 60V TO-236AB

Número de pieza

PMV55ENEAR

Fabricante/Marca

Nexperia USA Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q101

Estado de la pieza

Active

embalaje

Digi-Reel®

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Paquete de dispositivo del proveedor

TO-236AB (SOT23)

Disipación de energía (máx.)

478mW (Ta), 8.36W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

60V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

3.1A (Ta)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

60 mOhm @ 3.1A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

2.7V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

19nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

646pF @ 30V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

4.5V, 10V

Vgs (máx.)

±20V

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