Comprar NXP USA Inc. BS108/01,126 MOSFET N-CH 200V 300MA SOT54

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BS108/01,126

MOSFET N-CH 200V 300MA SOT54

Número de pieza

BS108/01,126

Fabricante/Marca

NXP USA Inc.

Serie

Estado de la pieza

Obsolete

embalaje

Tape & Box (TB)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete / Estuche

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Paquete de dispositivo del proveedor

TO-92-3

Disipación de energía (máx.)

1W (Ta)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

200V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

300mA (Ta)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

5 Ohm @ 100mA, 2.8V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

1.8V @ 1mA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

120pF @ 25V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

2.8V

Vgs (máx.)

±20V

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