Comprar NXP USA Inc. PHB11N06LT,118 MOSFET N-CH 55V 10.3A D2PAK

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PHB11N06LT,118

MOSFET N-CH 55V 10.3A D2PAK

Número de pieza

PHB11N06LT,118

Fabricante/Marca

NXP USA Inc.

Serie

TrenchMOS™

Estado de la pieza

Obsolete

embalaje

Tape & Reel (TR)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Paquete de dispositivo del proveedor

D2PAK

Disipación de energía (máx.)

33W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

55V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

10.3A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

130 mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

2V @ 1mA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

5.2nC @ 5V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

330pF @ 25V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

5V, 10V

Vgs (máx.)

±15V

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