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PHT2NQ10T,135
MOSFET N-CH 100V 2.5A SOT223
Número de pieza
PHT2NQ10T,135
Fabricante/Marca
Serie
TrenchMOS™
Estado de la pieza
Obsolete
embalaje
Tape & Reel (TR)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
TO-261-4, TO-261AA
Paquete de dispositivo del proveedor
SOT-223
Disipación de energía (máx.)
6.25W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
100V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
2.5A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
430 mOhm @ 1.75A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
4V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
5.1nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
160pF @ 25V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±20V
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