Comprar NXP USA Inc. PMN28UN,165 MOSFET N-CH 12V 5.7A 6TSOP

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PMN28UN,165

MOSFET N-CH 12V 5.7A 6TSOP

Número de pieza

PMN28UN,165

Fabricante/Marca

NXP USA Inc.

Serie

TrenchMOS™

Estado de la pieza

Obsolete

embalaje

Tape & Reel (TR)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

SC-74, SOT-457

Paquete de dispositivo del proveedor

6-TSOP

Disipación de energía (máx.)

1.75W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

12V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

5.7A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

34 mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

700mV @ 1mA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

10.1nC @ 4.5V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

740pF @ 10V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

1.8V, 4.5V

Vgs (máx.)

±8V

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