Comprar NXP USA Inc. PMN55LN,135 MOSFET N-CH 20V 4.1A 6TSOP

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PMN55LN,135

MOSFET N-CH 20V 4.1A 6TSOP

Número de pieza

PMN55LN,135

Fabricante/Marca

NXP USA Inc.

Serie

TrenchMOS™

Estado de la pieza

Obsolete

embalaje

Cut Tape (CT)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

SC-74, SOT-457

Paquete de dispositivo del proveedor

6-TSOP

Disipación de energía (máx.)

1.75W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

20V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

4.1A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

65 mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

2V @ 1mA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

13.1nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

500pF @ 20V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

4.5V, 10V

Vgs (máx.)

±15V

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