Comprar NXP USA Inc. SI2302DS,215 MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23

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SI2302DS,215

MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23

Número de pieza

SI2302DS,215

Fabricante/Marca

NXP USA Inc.

Serie

TrenchMOS™

Estado de la pieza

Obsolete

embalaje

Tape & Reel (TR)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-65°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Paquete de dispositivo del proveedor

TO-236AB (SOT23)

Disipación de energía (máx.)

830mW (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

20V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

2.5A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

85 mOhm @ 3.6A, 4.5V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

650mV @ 1mA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 4.5V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

230pF @ 10V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

2.5V, 4.5V

Vgs (máx.)

±8V

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