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FCH190N65F-F085
MOSFET N-CH 650V 20.6A TO247
Número de pieza
FCH190N65F-F085
Fabricante/Marca
Serie
Automotive, AEC-Q101, SuperFET® II
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tube
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Estuche
TO-247-3
Paquete de dispositivo del proveedor
TO-247
Disipación de energía (máx.)
208W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
650V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
20.6A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
190 mOhm @ 27A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
82nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
3181pF @ 25V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±20V
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