Comprar ON Semiconductor FDC2612 MOSFET N-CH 200V 1.1A SSOT-6

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Hojas de datos

FDC2612

MOSFET N-CH 200V 1.1A SSOT-6

Número de pieza

FDC2612

Fabricante/Marca

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

Estado de la pieza

Active

embalaje

Cut Tape (CT)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Paquete de dispositivo del proveedor

SuperSOT™-6

Disipación de energía (máx.)

1.6W (Ta)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

200V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

1.1A (Ta)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

725 mOhm @ 1.1A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

4.5V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

234pF @ 100V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Vgs (máx.)

±20V

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