ON Semiconductor
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FDFMA2P029Z-F106
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FDFMA2P029Z-F106

-20V -3.1A 95 O PCH ER T
Número de pieza
FDFMA2P029Z-F106
Fabricante/Marca
ON Semiconductor
Serie
PowerTrench®
Estado de la pieza
Active
embalaje
-
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
6-WDFN Exposed Pad
Paquete de dispositivo del proveedor
6-MicroFET (2x2)
Disipación de energía (máx.)
1.4W (Ta)
Tipo FET
P-Channel
Función FET
Schottky Diode (Isolated)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
20V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
3.1A (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
95 mOhm @ 3.1A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
1.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
10nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
720pF @ 10V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
2.5V, 4.5V
Vgs (máx.)
±12V
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