ON Semiconductor
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FDG6335N
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FDG6335N

MOSFET 2N-CH 20V 0.7A SOT-363
Número de pieza
FDG6335N
Fabricante/Marca
ON Semiconductor
Serie
PowerTrench®
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Potencia - Máx.
300mW
Paquete de dispositivo del proveedor
SC-70-6
Tipo FET
2 N-Channel (Dual)
Función FET
Logic Level Gate
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
20V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
700mA
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
300 mOhm @ 700mA, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
1.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
1.4nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
113pF @ 10V
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