La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
FDP8D5N10C

FDP8D5N10C

FET ENGR DEV-NOT REL
Número de pieza
FDP8D5N10C
Fabricante/Marca
Serie
PowerTrench®
Estado de la pieza
Active
embalaje
-
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Estuche
TO-220-3
Paquete de dispositivo del proveedor
TO-220-3
Disipación de energía (máx.)
2.4W (Ta), 107W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
100V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
76A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
8.5 mOhm @ 76A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
4V @ 130µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
34nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
2475pF @ 50V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±20V
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 6548 PCS
Información del contacto
Palabras clave deFDP8D5N10C
FDP8D5N10C Componentes electrónicos
FDP8D5N10C Ventas
FDP8D5N10C Proveedor
FDP8D5N10C Distribuidor
FDP8D5N10C Tabla de datos
FDP8D5N10C Fotos
FDP8D5N10C Precio
FDP8D5N10C Oferta
FDP8D5N10C El precio más bajo
FDP8D5N10C Buscar
FDP8D5N10C Adquisitivo
FDP8D5N10C Chip