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FDR858P
MOSFET P-CH 30V 8A SSOT-8
Número de pieza
FDR858P
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Obsolete
embalaje
Cut Tape (CT)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
8-SMD, Gull Wing
Paquete de dispositivo del proveedor
SuperSOT™-8
Disipación de energía (máx.)
1.8W (Ta)
Tipo FET
P-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
30V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
8A (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
19 mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
3V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
30nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
2010pF @ 15V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
4.5V, 10V
Vgs (máx.)
±20V
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