La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
FDV302P-NB8V001
MOSFET P-CH 25V 120MA SOT-23
Número de pieza
FDV302P-NB8V001
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Discontinued at Digi-Key
embalaje
Cut Tape (CT)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Paquete de dispositivo del proveedor
SOT-23
Disipación de energía (máx.)
350mW (Ta)
Tipo FET
P-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
25V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
120mA (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
10 Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
1.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
0.31nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
11pF @ 10V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
2.7V, 4.5V
Vgs (máx.)
-8V
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 48733 PCS
Información del contacto
Productos relacionados
Palabras clave deFDV302P-NB8V001
FDV302P-NB8V001 Componentes electrónicos
FDV302P-NB8V001 Ventas
FDV302P-NB8V001 Proveedor
FDV302P-NB8V001 Distribuidor
FDV302P-NB8V001 Tabla de datos
FDV302P-NB8V001 Fotos
FDV302P-NB8V001 Precio
FDV302P-NB8V001 Oferta
FDV302P-NB8V001 El precio más bajo
FDV302P-NB8V001 Buscar
FDV302P-NB8V001 Adquisitivo
FDV302P-NB8V001 Chip