La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
FQB4N20LTM
MOSFET N-CH 200V 3.8A D2PAK
Número de pieza
FQB4N20LTM
Fabricante/Marca
Serie
QFET®
Estado de la pieza
Obsolete
embalaje
Tape & Reel (TR)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paquete de dispositivo del proveedor
D²PAK (TO-263AB)
Disipación de energía (máx.)
3.13W (Ta), 45W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
200V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
3.8A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
1.35 Ohm @ 1.9A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
2V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
5.2nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
310pF @ 25V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
5V, 10V
Vgs (máx.)
±20V
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 51795 PCS
Información del contacto
Productos relacionados
Palabras clave deFQB4N20LTM
FQB4N20LTM Componentes electrónicos
FQB4N20LTM Ventas
FQB4N20LTM Proveedor
FQB4N20LTM Distribuidor
FQB4N20LTM Tabla de datos
FQB4N20LTM Fotos
FQB4N20LTM Precio
FQB4N20LTM Oferta
FQB4N20LTM El precio más bajo
FQB4N20LTM Buscar
FQB4N20LTM Adquisitivo
FQB4N20LTM Chip