La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
FQD12N20LTM
MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
Número de pieza
FQD12N20LTM
Fabricante/Marca
Serie
QFET®
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tape & Reel (TR)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paquete de dispositivo del proveedor
D-Pak
Disipación de energía (máx.)
2.5W (Ta), 55W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
200V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
9A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
280 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
2V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
21nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
1080pF @ 25V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
5V, 10V
Vgs (máx.)
±20V
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 35099 PCS
Información del contacto
Productos relacionados
Palabras clave deFQD12N20LTM
FQD12N20LTM Componentes electrónicos
FQD12N20LTM Ventas
FQD12N20LTM Proveedor
FQD12N20LTM Distribuidor
FQD12N20LTM Tabla de datos
FQD12N20LTM Fotos
FQD12N20LTM Precio
FQD12N20LTM Oferta
FQD12N20LTM El precio más bajo
FQD12N20LTM Buscar
FQD12N20LTM Adquisitivo
FQD12N20LTM Chip