La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
FQI12N60TU
MOSFET N-CH 600V 10.5A I2PAK
Número de pieza
FQI12N60TU
Fabricante/Marca
Serie
QFET®
Estado de la pieza
Obsolete
embalaje
Tube
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Estuche
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Paquete de dispositivo del proveedor
I2PAK (TO-262)
Disipación de energía (máx.)
3.13W (Ta), 180W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
600V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
10.5A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
700 mOhm @ 5.3A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
54nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
1900pF @ 25V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±30V
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 28684 PCS
Información del contacto
Productos relacionados
Palabras clave deFQI12N60TU
FQI12N60TU Componentes electrónicos
FQI12N60TU Ventas
FQI12N60TU Proveedor
FQI12N60TU Distribuidor
FQI12N60TU Tabla de datos
FQI12N60TU Fotos
FQI12N60TU Precio
FQI12N60TU Oferta
FQI12N60TU El precio más bajo
FQI12N60TU Buscar
FQI12N60TU Adquisitivo
FQI12N60TU Chip