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FQT1N80TF-WS
MOSFET N-CH 800V 0.2A SOT-223
Número de pieza
FQT1N80TF-WS
Fabricante/Marca
Serie
QFET®
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tape & Reel (TR)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
TO-261-4, TO-261AA
Paquete de dispositivo del proveedor
SOT-223-3
Disipación de energía (máx.)
2.1W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
800V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
200mA (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
20 Ohm @ 100mA, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
7.2nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
195pF @ 25V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±30V
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