Comprar ON Semiconductor H11AG1M OPTOISO 4.17KV TRANS W/BASE 6DIP

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Hojas de datos

H11AG1M

OPTOISO 4.17KV TRANS W/BASE 6DIP

Número de pieza

H11AG1M

Fabricante/Marca

ON Semiconductor

Serie

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tube

Tipo de entrada

Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 100°C

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete / Estuche

6-DIP (0.300", 7.62mm)

Tipo de salida

Transistor with Base

número de canales

Paquete de dispositivo del proveedor

6-DIP

Corriente - Salida / Canal

50mA

Voltaje - Aislamiento

4170Vrms

Tiempo de subida/caída (típico)

Voltaje - Salida (Máx.)

30V

Voltaje - Directo (Vf) (Típico)

1.25V

Corriente - CC directa (si) (máx.)

50mA

Ratio de transferencia actual (mín.)

100% @ 1mA

Relación de transferencia actual (máx.)

Hora de encendido/apagado (típico)

5µs, 5µs

Saturación Vce (máx.)

400mV

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