La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
HUF75639S3ST
MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK
Número de pieza
HUF75639S3ST
Fabricante/Marca
Serie
UltraFET™
Estado de la pieza
Active
embalaje
Cut Tape (CT)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paquete de dispositivo del proveedor
D²PAK (TO-263AB)
Disipación de energía (máx.)
200W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
100V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
56A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
25 mOhm @ 56A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
130nC @ 20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
2000pF @ 25V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±20V
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 9877 PCS
Información del contacto
Productos relacionados
Palabras clave deHUF75639S3ST
HUF75639S3ST Componentes electrónicos
HUF75639S3ST Ventas
HUF75639S3ST Proveedor
HUF75639S3ST Distribuidor
HUF75639S3ST Tabla de datos
HUF75639S3ST Fotos
HUF75639S3ST Precio
HUF75639S3ST Oferta
HUF75639S3ST El precio más bajo
HUF75639S3ST Buscar
HUF75639S3ST Adquisitivo
HUF75639S3ST Chip