La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
NTD110N02RT4G
MOSFET N-CH 24V 12.5A DPAK
Número de pieza
NTD110N02RT4G
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tape & Reel (TR)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paquete de dispositivo del proveedor
DPAK
Disipación de energía (máx.)
1.5W (Ta), 110W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
24V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
12.5A (Ta), 110A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
4.6 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
2V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
28nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
3440pF @ 20V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
4.5V, 10V
Vgs (máx.)
±20V
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 33580 PCS
Información del contacto
Productos relacionados
Palabras clave deNTD110N02RT4G
NTD110N02RT4G Componentes electrónicos
NTD110N02RT4G Ventas
NTD110N02RT4G Proveedor
NTD110N02RT4G Distribuidor
NTD110N02RT4G Tabla de datos
NTD110N02RT4G Fotos
NTD110N02RT4G Precio
NTD110N02RT4G Oferta
NTD110N02RT4G El precio más bajo
NTD110N02RT4G Buscar
NTD110N02RT4G Adquisitivo
NTD110N02RT4G Chip