La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
NTD3055L170G

NTD3055L170G

MOSFET N-CH 60V 9A DPAK
Número de pieza
NTD3055L170G
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Obsolete
embalaje
Tube
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paquete de dispositivo del proveedor
DPAK
Disipación de energía (máx.)
1.5W (Ta), 28.5W (Tj)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
60V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
9A (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
170 mOhm @ 4.5A, 5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
2V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
10nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
275pF @ 25V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
5V
Vgs (máx.)
±15V
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 51197 PCS
Información del contacto
Palabras clave deNTD3055L170G
NTD3055L170G Componentes electrónicos
NTD3055L170G Ventas
NTD3055L170G Proveedor
NTD3055L170G Distribuidor
NTD3055L170G Tabla de datos
NTD3055L170G Fotos
NTD3055L170G Precio
NTD3055L170G Oferta
NTD3055L170G El precio más bajo
NTD3055L170G Buscar
NTD3055L170G Adquisitivo
NTD3055L170G Chip