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NTD4963N-35G
MOSFET N-CH 30V 8.1A IPAK
Número de pieza
NTD4963N-35G
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Obsolete
embalaje
Tube
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Estuche
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Paquete de dispositivo del proveedor
I-PAK
Disipación de energía (máx.)
1.1W (Ta), 35.7W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
30V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
8.1A (Ta), 44A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
9.6 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
2.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
16.2nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
1035pF @ 12V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
4.5V, 10V
Vgs (máx.)
±20V
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