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NTMD6601NR2G
MOSFET 2N-CH 80V 1.1A 8SOIC
Número de pieza
NTMD6601NR2G
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Obsolete
embalaje
Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Potencia - Máx.
600mW
Paquete de dispositivo del proveedor
8-SOIC
Tipo FET
2 N-Channel (Dual)
Función FET
Logic Level Gate
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
80V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
1.1A
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
215 mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
3V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
15nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
400pF @ 25V
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