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NTMD6N02R2G
MOSFET 2N-CH 20V 3.92A 8SO
Número de pieza
NTMD6N02R2G
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Potencia - Máx.
730mW
Paquete de dispositivo del proveedor
8-SOIC
Tipo FET
2 N-Channel (Dual)
Función FET
Logic Level Gate
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
20V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
3.92A
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
35 mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
1.2V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
20nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
1100pF @ 16V
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