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NTMD6P02R2SG
MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC
Número de pieza
NTMD6P02R2SG
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Obsolete
embalaje
Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Potencia - Máx.
750mW
Paquete de dispositivo del proveedor
8-SOIC
Tipo FET
2 P-Channel (Dual)
Función FET
Logic Level Gate
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
20V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
4.8A
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
33 mOhm @ 6.2A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
1.2V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
35nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
1700pF @ 16V
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