La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
NTMFS4897NFT1G
MOSFET N-CH 30V SO-8FL
Número de pieza
NTMFS4897NFT1G
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Active
embalaje
Cut Tape (CT)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
8-PowerTDFN, 5 Leads
Paquete de dispositivo del proveedor
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Disipación de energía (máx.)
950mW (Ta), 96.2W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
30V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
17A (Ta), 171A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
2 mOhm @ 22A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
2.5V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
83.6nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
5660pF @ 15V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
4.5V, 10V
Vgs (máx.)
±20V
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 48274 PCS
Información del contacto
Productos relacionados
Palabras clave deNTMFS4897NFT1G
NTMFS4897NFT1G Componentes electrónicos
NTMFS4897NFT1G Ventas
NTMFS4897NFT1G Proveedor
NTMFS4897NFT1G Distribuidor
NTMFS4897NFT1G Tabla de datos
NTMFS4897NFT1G Fotos
NTMFS4897NFT1G Precio
NTMFS4897NFT1G Oferta
NTMFS4897NFT1G El precio más bajo
NTMFS4897NFT1G Buscar
NTMFS4897NFT1G Adquisitivo
NTMFS4897NFT1G Chip