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NTMS4101PR2
MOSFET P-CH 20V 6.9A 8-SOIC
Número de pieza
NTMS4101PR2
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Obsolete
embalaje
Tape & Reel (TR)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete de dispositivo del proveedor
8-SOIC
Disipación de energía (máx.)
1.38W (Tj)
Tipo FET
P-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
20V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
6.9A (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
19 mOhm @ 6.9A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
450mV @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
32nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
3200pF @ 10V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
2.5V, 4.5V
Vgs (máx.)
±8V
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