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NTTFS5811NLTWG
MOSFET N-CH 40V 53.6A 8DFN
Número de pieza
NTTFS5811NLTWG
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Obsolete
embalaje
Tape & Reel (TR)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
8-PowerWDFN
Paquete de dispositivo del proveedor
8-WDFN (3.3x3.3)
Disipación de energía (máx.)
2.7W (Ta), 33W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
40V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
17A (Ta), 53A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
6.4 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
2.2V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
31nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
1570pF @ 25V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
4.5V, 10V
Vgs (máx.)
±20V
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