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NVD4809NT4G

MOSFET N-CH 30V 58A DPAK

Número de pieza

NVD4809NT4G

Fabricante/Marca

ON Semiconductor

Serie

Estado de la pieza

Obsolete

embalaje

Tape & Reel (TR)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Paquete de dispositivo del proveedor

DPAK

Disipación de energía (máx.)

1.4W (Ta), 52W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

30V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

9.6A (Ta), 58A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

9 mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

2.5V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 11.5V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1456pF @ 12V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

4.5V, 11.5V

Vgs (máx.)

±20V

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