La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
NVD5890NT4G
MOSFET N-CH 40V 100A DPAK
Número de pieza
NVD5890NT4G
Fabricante/Marca
Estado de la pieza
Active
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paquete de dispositivo del proveedor
DPAK
Disipación de energía (máx.)
4W (Ta), 107W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
40V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
24A (Ta), 123A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
3.7 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
3.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
100nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
4760pF @ 25V
Vgs (máx.)
±20V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 24472 PCS
Información del contacto
Productos relacionados
Palabras clave deNVD5890NT4G
NVD5890NT4G Componentes electrónicos
NVD5890NT4G Ventas
NVD5890NT4G Proveedor
NVD5890NT4G Distribuidor
NVD5890NT4G Tabla de datos
NVD5890NT4G Fotos
NVD5890NT4G Precio
NVD5890NT4G Oferta
NVD5890NT4G El precio más bajo
NVD5890NT4G Buscar
NVD5890NT4G Adquisitivo
NVD5890NT4G Chip