ON Semiconductor
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NVMFS4C01NWFT1G
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NVMFS4C01NWFT1G

MOSFET N-CH 30V 49A SO8FL
Número de pieza
NVMFS4C01NWFT1G
Fabricante/Marca
ON Semiconductor
Serie
-
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tape & Reel (TR)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
8-PowerTDFN
Paquete de dispositivo del proveedor
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Disipación de energía (máx.)
3.84W (Ta), 161W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
30V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
49A (Ta), 319A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
0.9 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
2.2V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
139nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
10144pF @ 15V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
4.5V, 10V
Vgs (máx.)
±20V
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