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NVMFS5C682NLAFT1G
MOSFET N-CH 60V 8.8A 25A 5DFN
Número de pieza
NVMFS5C682NLAFT1G
Fabricante/Marca
Serie
Automotive, AEC-Q101
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tape & Reel (TR)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
8-PowerTDFN, 5 Leads
Paquete de dispositivo del proveedor
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Disipación de energía (máx.)
3.5W (Ta), 28W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
60V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
8.8A (Ta), 25A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
21 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
2V @ 16µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
5nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
410pF @ 25V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
4.5V, 10V
Vgs (máx.)
±20V
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