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NVTFS6H850NTAG
MOSFET N-CH 80V 68A TRENCH 8WDFN
Número de pieza
NVTFS6H850NTAG
Fabricante/Marca
Serie
Automotive, AEC-Q101
Estado de la pieza
Active
embalaje
Cut Tape (CT)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
8-PowerWDFN
Paquete de dispositivo del proveedor
8-WDFN (3.3x3.3)
Disipación de energía (máx.)
3.2W (Ta), 107W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
80V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
11A (Ta), 68A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
9.5 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
4V @ 70µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
19nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
11.4nF @ 40V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±20V
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