Comprar ON Semiconductor SI3442DV MOSFET N-CH 20V 4.1A SSOT-6

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SI3442DV

MOSFET N-CH 20V 4.1A SSOT-6

Número de pieza

SI3442DV

Fabricante/Marca

ON Semiconductor

Serie

Estado de la pieza

Obsolete

embalaje

Tape & Reel (TR)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Paquete de dispositivo del proveedor

SuperSOT™-6

Disipación de energía (máx.)

1.6W (Ta)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

20V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

4.1A (Ta)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

60 mOhm @ 4.1A, 4.5V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

1V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

14nC @ 4.5V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

365pF @ 10V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

2.7V, 4.5V

Vgs (máx.)

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