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MTM231232LBF

MTM231232LBF

MOSFET P-CH 20V 3A
Número de pieza
MTM231232LBF
Serie
-
Estado de la pieza
Active
embalaje
Cut Tape (CT)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
SC-70, SOT-323
Paquete de dispositivo del proveedor
SMini3-G1-B
Disipación de energía (máx.)
500mW (Ta)
Tipo FET
P-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
20V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
3A (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
55 mOhm @ 1A, 4V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
1.3V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
-
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
1000pF @ 10V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
2.5V, 4.5V
Vgs (máx.)
±10V
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